BORN 功率MOS管

伯恩BMO04N130-C功率MOS

伯恩BMO04N130-C是一款高性能的N通道功率MOSFET，适用于各种高电流、高电压应用。该产品具有以下特点：高耐压（VDSS高达40V），低导通电阻（RDS(ON)最大为1.3mΩ），适用于±20V的栅极电压，最大电流为185A。BMO04N130-C采用PDFN5*6封装，适用于工业、汽车电子、消费电子等领域。该产品具有高可靠性、低功耗、长寿命等优点，是功率电子应用中的理想选择。

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代理服务技术支持采购服务

【选型】耐压高达300V的大功率MOS管EG2132满足TEC控制器制冷或发热需求，静态功耗小于5μA

屹晶微推出的EG2132是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 栅极驱动专用芯片，该芯片高端的工作电压可达300V，VCC的电源电压范围11V～20V，输出电流能力IO+/- 1/1.5A，静态功耗小于5uA。提供HIN、LIN两个逻辑输入驱动HO、LO组成半桥结构，采用SOP8封装。

2023-06-30 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【经验】BMS应用笔记：详解功率MOS管

由于锂电池的特性，在应用过程中需要对其充放电过程进行保护，避免因过充过放或过热造成电池的损坏，保证电池安全的工作。本文虹美功率半导体将介绍功率MOS管在BMS系统中的常见失效类型，以及如何预防改善。

2023-03-22 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

TMC科普课堂系列——MOS管的重要特性，及在开关电源电路中大功率MOS管和晶体三极管的优点

本文台懋解析了MOS管和晶体三极管相比的重要特性，以及在开关电源电路中，大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点。

2024-11-06 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【技术】关于MOS管损坏的五种模式介绍

功率MOS管的五种损坏包括：雪崩破坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌/静电破坏，本文详解MOS管损坏之谜。第一种：雪崩破坏。第二种：器件发热损坏。第三种：内置二极管破坏。

2022-10-13 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

Mos管怎么看型号和功率的关系

MOS管的型号通常由字母和数字组成，代表着其特性和性能。这些信息包括厂家代号、产品系列、产品类型、额定电流、额定电压等参数。而功率主要取决于MOS管的额定电流和额定电压。因此在选择MOS管时，需要根据实际应用场景中的电流和电压需求来确定合适的型号。

2024-06-25 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

七步掌握MOS管选型技巧

选择一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是将会确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？本文中音特电子就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。

2024-01-17 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

如何认识MOS管？

如何认识MOS管？MOS管属于电压型元器件，没有电流的损耗，通过控制G来形成我们的电压控制。MOS分为结型场效应管和绝缘栅型管，我们要知道：UGS栅源电压，UP夹断电压，UT开启电压。

2024-05-15 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【应用】国产内置FRD的超结功率MOS管TPW65R100MFD用于2KW便携式储能电源，导通电阻最大值为100mΩ

紫光微超结功率MOS管TPW65R100MFD助力2KW便携式储能电源AC220V逆变输出部分的优势。

2021-06-03 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【元件】合科泰参选的功率MOS管、IGBT单管产品荣获CIAS2024金翎奖最“最具市场力产品奖”

4月23-24日，CIAS2024，合科泰荣获“最具市场力产品奖“”，参选的功率MOS管HKTE120N15、HKTE150N15、HKTE110N20，IGBT单管HKTH75N65EF7、HKTH40N120DF7。

2024-04-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】280V N沟道功率MOS管，较P沟道MOS管导通电阻更小

日本新电元（Shindengen）公司推出了一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管P13F28HP2/P17F28HP2/P21F28HP2，最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为280.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为13.0/17.0/21.0A，静态漏源导通电阻Rds典型值为0.23/0.17/0.13Ω。可应用于负载/电源开关，继电器驱动，电源转换器电路等应用。

2018-05-05 - 新产品代理服务技术支持采购服务