EPC 车规氮化镓

【元件】EPC新推80V车规级GaN FET EPC2252，脉冲电流75A，实现更高分辨率激光雷达

EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅MOSFET更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48V/12V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

2023-02-01 - 新产品代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【产品】基于车规级氮化镓技术的脉冲激光二极管驱动电路板EPC9144，具有1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板EPC9144。EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）可支持大电流纳秒脉冲的应用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。

2020-01-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【视频】EPC GaN驱动脉宽短至2ns，尺寸有硅MOS的10%，完美匹配激光二极管ToF方案

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例以及激光雷达专用eToF GaN IC的设计与控制。文章详细阐述了激光雷达的驱动设计与控制，包括杂散电感的影响、使用氮化镓的优势等。此外，还比较了DTOF与iToF的优缺点，并分析了脉冲形状的重要性。最后，文章介绍了EPC公司提供的GaN FET和IC解决方案，以及其在激光雷达系统中的应用。

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商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【选型】为自动驾驶车载多线激光雷达选择车规级eGaN FET EPC2203+EPC2214，助力小型化设计

为满足车载多线激光雷达驱动激光二极管实现更快的开关，满足小型化设计需求，以及通过车规级认证的高可靠性要求，推荐选择EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）EPC2203和EPC2214，最大漏源电压VDS均为80V，最大脉冲电流分别为17A和47A，可驱动高功率LD激光二极管，同时，均是小尺寸BGA封装，可满足小型化设计需求。

2020-03-05 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

EPC耐压100V、瞬时电流高达75A的车规级GaN FET及实现<2ns的超短脉冲GaN IC

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例、工作原理以及相关技术细节。重点讨论了激光雷达的驱动设计与控制，特别是使用氮化镓（GaN）FET的优势，以及GaN IC在激光雷达中的应用。文章还分析了激光雷达系统对脉冲功率的要求，以及如何通过优化PCB布局设计来降低寄生电感。

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2022/2/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【应用】eGaN FET EPC2212助力车载激光雷达设计，Qg仅3.2nC

EPC生产的eGaN FET EPC2212为满足车规AEC-Q101标准的产品，已经成功应用在车载激光雷达设计上。相对于Si MOSFET，氮化镓优势在于开关延时短，响应速度更快，同样的电压下，冲击电流更大。EPC2212耐压100V，瞬态电流高达75A（Tpluse=300μS），Qg低至3.2nC。